晶片磨削砂轮工艺 江苏优普纳科技供应

江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮，以其低损耗特性成为半导体加工领域的理想选择。其独特的多孔显微组织调控技术，使得砂轮在高磨削效率的同时，磨耗比极低。在东京精密-HRG200X减薄机的实际应用中，6吋SiC线割片的磨耗比只为15%，而8吋SiC线割片的磨耗比也只为35%。这意味着在长时间的加工过程中，砂轮的磨损极小，使用寿命更长，为客户节省了大量的成本。低损耗不只体现在砂轮本身的使用寿命上，还体现在加工后的晶圆表面质量上，损伤极小，进一步提升了产品的性价比，助力优普纳在国产化替代进程中占据优势。优普纳砂轮在DISCO-DFG8640减薄机上，对6吋SiC线割片进行精磨，磨耗比100%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。晶片磨削砂轮工艺

衬底粗磨减薄砂轮是半导体制造中的关键工具，尤其在晶圆衬底减薄工艺中发挥着不可替代的作用。随着新能源汽车、轨道交通、消费电子等行业的快速发展，市场对于芯片和功率器件的性能要求越来越高，这直接推动了衬底粗磨减薄砂轮技术的不断进步。在江苏优普纳科技有限公司，我们专注于研发和生产品质高的衬底粗磨减薄砂轮，以满足客户日益增长的需求。我们的砂轮采用先进的金刚石磨料和品质高结合剂，确保在粗磨过程中具有出色的磨削效率和稳定性，同时能更大限度地减少晶圆表面的损伤，提高芯片良率。半导体设备砂轮供应商从研发到生产，优普纳科技始终专注于提升碳化硅晶圆减薄砂轮的性能，以满足不断发展第三代半导体产业需求。

针对第三代半导体材料（SiC/GaN）的减薄需求，优普纳砂轮适配6吋、8吋晶圆，满足衬底片粗磨、精磨全流程。以东京精密HRG200X设备为例，6吋SiC线割片采用2000#砂轮粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂轮，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV稳定在2μm以下。DISCO设备案例中，8吋晶圆精磨后TTV≤2μm，适配性强，可替代日本、德国进口产品。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮，品质有保证，欢迎您的随时致电咨询，为您提供满意的产品以及方案。

江苏优普纳科技有限公司的非球面微粉砂轮具备一系列令人瞩目的产品特性，使其在激烈的市场竞争中脱颖而出。首先是超高的磨削精度，通过对磨粒粒度的精确筛选与排布控制，以及结合剂性能的优化，砂轮能够实现纳米级别的磨削精度。在加工非球面镜片时，可将表面粗糙度控制在极低水平，面型精度达到亚微米级，满足光学领域对镜片质量的严苛要求。其次是出色的耐磨性，选用的品质高磨粒，如针对不同光学材料特性定制的金刚石微粉磨粒，具有极高的硬度和化学稳定性。在长时间、强度高的磨削作业中，磨粒能保持自身形状与锋利度，相比传统砂轮，明显延长了使用寿命，减少了砂轮的更换频率，提高了生产效率，降低了生产成本。再者，砂轮具有良好的自锐性，在磨削过程中，当磨粒磨损到一定程度，结合剂能够及时释放磨粒，新的锋利磨粒迅速接替工作，维持稳定的磨削效率，避免因磨粒钝化导致加工质量下降。同时，优普纳的非球面微粉砂轮还具备优良的散热性能，在高速磨削产生大量热量的情况下，能有效将热量传导出去，减少热变形对工件精度的影响，全方面保障加工过程的稳定性与产品质量的可靠性。在6吋和8吋SiC线割片的加工中，优普纳砂轮均展现出优越性能，无论是粗磨还是精磨，达到行业更高加工标准。

随着制造业的不断发展，市场对高性能磨削工具的需求日益增加。激光改质层减薄砂轮凭借其优越的性能，逐渐成为各类加工行业的优先选择工具。特别是在航空航天、汽车制造、模具加工等制造领域，激光改质层减薄砂轮的应用愈发增加。这些行业对产品的精度和表面质量要求极高，而激光改质层减薄砂轮能够在保证加工质量的同时，提高生产效率，降低生产成本。此外，随着环保意识的增强，激光改质层减薄砂轮的低磨损特性也符合可持续发展的要求，进一步推动了其市场需求的增长。在东京精密-HRG200X减薄机上，优普纳砂轮对6吋SiC线割片进行精磨，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。超精密砂轮解决方案

优普纳砂轮的高性能陶瓷结合剂，赋予产品优异的耐磨性和韧性，确保在高负荷加工条件下的稳定性能。晶片磨削砂轮工艺

江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮，凭借其高性能陶瓷结合剂和“Dmix+”制程工艺，在第三代半导体材料加工领域树立了新的目标。这种独特的结合剂配方不只赋予了砂轮强度高和韧性，还通过多孔显微组织的设计，实现了高研削性能和良好的散热效果。在实际应用中，无论是粗磨还是精磨，优普纳的砂轮都能保持稳定的性能，减少振动和损伤，确保加工后的晶圆表面质量优异。这种技术优势不只满足了半导体制造的需求，还为国产化替代提供了坚实的技术支持。晶片磨削砂轮工艺

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